04μmCMOS工艺平台。0.4微米栅长, 单层多晶，单层金属. 应用于内置RC振荡器和晶体振荡器，内置32*4位RAM, 368K*10的程序ROM空间，放音频率从1.5K～27K。工作电压5V，具有详尽的设计规则文件。
1) 工艺特性
? ? 0.4微米CMOS，单多晶，单层金属，双阱工艺。
? ? 工作电压3.3~5伏。
? ? 衬底材料为P型、<100>晶向、15~25欧姆.厘米。
? ? 11块掩模版，14个光刻层。
? ? 可提供N型只读掩模代码。
? ? 标准的局部氧化隔离工艺。
? ? 栅氧厚度为125埃，采用硅化物栅极。
? ? N/P型轻掺杂漏区和侧壁结构。
? ? 钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。
? ? 氧化硅/氮化硅结构的钝化层。
2) 典型应用
? ? 内置RC振荡器和晶体振荡器
? ? 内置32*4位RAM, 368K*10的程序ROM空间
? ? 放音频率从1.5K～27K